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NXP 恩智浦A3G26H200W17S 2496-2690 MHz, 34 W Avg, 48 V Data Sheet

文件類型:     文件大小:339.09K    品牌:POWER-ONE

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NXP 恩智浦A3G26H200W17S 2496-2690 MHz, 34 W Avg, 48 V Data Sheet
A3G26H200W17S 1 RF Device Data NXP Semiconductors RF Power GaN Transistor This 34 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed
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