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IXYS IXFH80N65X2 MOSFET

訂 貨 號:IXFH80N65X2      品牌:艾賽思_IXYS

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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IXYS IXFH80N65X2 MOSFET
產品詳細信息

N 通道功率 MOSFET , IXYS HiPerFET ? X2 系列

與前幾代的功率MOSFET 相比, IXYS X2 類 HiPerFET 功率MOSFET 系列顯著降低電阻和柵極電荷,從而降低了損耗,提高了操作效率。這些堅固耐用的器件包含增強型高速固有二極管,適用于硬切換和諧振模式應用。X2 類功率MOSFET可采用多種行業(yè)標準封裝,包括隔離型,在 650V 時額定電流高達 120A。典型應用包括直流 - 直流轉換器,交流和直流電動機驅動器,開關模式和諧振模式電源,直流截波器,太陽能逆變器,溫度和照明控制。

非常低的 RDS (接通) 和 QG (柵極電荷)
快速固有整流器二極管
低固有柵極電阻
低封裝電感
工業(yè)標準封裝

低 RDS(接通)和 Qg
快速體二極管
dv/dt 穩(wěn)定
雪崩等級
低封裝電感
國際標準封裝
諧振模式電源
高強度放電 (HID) 燈鎮(zhèn)流器
交流和直流電動機驅動器
直流 - 直流轉換器
機器人和伺服控制
電池充電器
3 級太陽能逆變器
LED 照明
無人機 (UAV)
效率更高
高功率密度
安裝簡便
節(jié)省空間

MOSFET 晶體管,IXYS

IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 80 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 38 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3.5V
最大功率耗散 890 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
典型柵極電荷@Vgs 140 @ 10 V nC
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 16.13mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 5.21mm
暫無

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