Vishay 功率 MOSFET 具有低柵極電荷 Qg ,可實現(xiàn)簡單的驅(qū)動要求,且具有改進(jìn)的柵極,雪崩和動態(tài) dV/dt 堅固性。
工作接點和存儲溫度范圍 - 55 至 + 150°C
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 5 A |
最大漏源電壓 | 500 V |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 1.4 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 74 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
寬度 | 4.7mm |
晶體管材料 | Si |
典型柵極電荷@Vgs | 24 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 10.41mm |
最高工作溫度 | +150 °C |