Wolfspeed Z-Fet?,C2M?和C3M?碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed的一系列第二代 SiC MOSFET,可提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度和切換效率。這些低電容設(shè)備可實現(xiàn)更高的切換頻率,并降低了散熱要求,從而提高了整體系統(tǒng)工作效率。
? 增強模式N通道SiC技術(shù)
? 高漏源擊穿電壓-高達1200V
? 多個設(shè)備易于并行且易于驅(qū)動
? 高速開關(guān),導(dǎo)通電阻低
? 防閂鎖操作
Wolfspeed MOSFET實現(xiàn)了更高開關(guān)頻率,并且減小了電感器、電容器、濾波器、變壓器等組件的尺寸。Wolfspeed的碳化硅MOSFET取代硅器件,可降低開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,并實現(xiàn)更高阻斷電壓和雪崩能力。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 31 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 208 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.2V |
最小柵閾值電壓 | 1.7V |
最大功率耗散 | 208 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -10 V, +25 V |
長度 | 16.13mm |
典型柵極電荷@Vgs | 49.2 nC @ 20 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
晶體管材料 | SiC |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 5.21mm |