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訂 貨 號(hào):IXFH34N65X2 品牌:艾賽思_IXYS
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
與前幾代的功率MOSFET 相比, IXYS X2 類 HiPerFET 功率MOSFET 系列顯著降低電阻和柵極電荷,從而降低了損耗,提高了操作效率。這些堅(jiān)固耐用的器件包含增強(qiáng)型高速固有二極管,適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用。X2 類功率MOSFET可采用多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離型,在 650V 時(shí)額定電流高達(dá) 120A。典型應(yīng)用包括直流 - 直流轉(zhuǎn)換器,交流和直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,開關(guān)模式和諧振模式電源,直流截波器,太陽(yáng)能逆變器,溫度和照明控制。
非常低的 RDS (接通) 和 QG (柵極電荷)
快速固有整流器二極管
低固有柵極電阻
低封裝電感
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 34 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 100 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 2.7V |
最大功率耗散 | 540 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
長(zhǎng)度 | 16.24mm |
典型柵極電荷@Vgs | 56 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 21.45mm |