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onsemi FDN5630 MOSFET

訂 貨 號：FDN5630      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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onsemi FDN5630 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，高達 9.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 1.7 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 100 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 500 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 1.4mm
長度 2.92mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 7 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
暫無

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