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Vishay SI4909DY-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SI4909DY-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數量：10             品牌屬性：進口

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Vishay SI4909DY-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

雙 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 6.5 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 34 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 3.2 W
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V
每片芯片元件數目 2
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長度 5mm
寬度 4mm
暫無

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