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MagnaChip MDS3603URH MOSFET

訂 貨 號:MDS3603URH      品牌:

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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MagnaChip MDS3603URH MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

低電壓 (LV) MOSFET

這些低電壓 (LV) MOSFET 提供低通態(tài)電阻和快速切換性能。

MOSFET 晶體管,MagnaChip


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 12 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 14.5 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -25 V、+25 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 38.4 nC @ 10 V
長度 5mm
晶體管材料 Si
寬度 4mm
暫無

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