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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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Infineon IRLL2705TRPBF MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRLL2705TRPBF      品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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Infineon IRLL2705TRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對(duì)幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 5.2 A
最大漏源電壓 55 V
封裝類(lèi)型 SOT-223
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3 + Tab
最大漏源電阻值 65 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2.1 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -16 V、+16 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
寬度 3.7mm
典型柵極電荷@Vgs 32 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 6.7mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無(wú)

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