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Toshiba TK100E08N1 MOSFET

訂 貨 號:TK100E08N1      品牌:東芝_Toshiba

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Toshiba TK100E08N1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

MOSFET 晶體管,Toshiba


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 214 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 3.2 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最大功率耗散 255 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 130 nC @ 10 V
長度 10.16mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
寬度 4.45mm
暫無

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