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Vishay SI7850DP-T1-E3 MOSFET

訂 貨 號:SI7850DP-T1-E3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

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Vishay SI7850DP-T1-E3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 6.2 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 PowerPAK SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 22 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 1.8 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 18 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
長度 4.9mm
寬度 5.89mm
暫無

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