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Infineon BSC060P03NS3EGATMA1 MOSFET

訂 貨 號：BSC060P03NS3EGATMA1      品牌：GAT

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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Infineon BSC060P03NS3EGATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設計用于提供增強功能，以滿足高質(zhì)量性能要求。功能包括超低開關(guān)損耗，通態(tài)電阻，雪崩額定值以及通過AEC認證的汽車解決方案。應用包括DC-DC，電機控制，汽車和eMobility。

增強模式
耐雪崩等級
低切換和傳導功率損耗
無鉛引線電鍍；符合RoHS標準
標準封裝
OptiMOS?P通道系列：溫度范圍為-55°C至+175°C

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 100 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 TDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 9.6 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.9V
最小柵閾值電壓 3.1V
最大功率耗散 83 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -25 V、+25 V
晶體管材料 Si
長度 6.35mm
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 61 nC @ 10 V
寬度 5.35mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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