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onsemi FDC6333C MOSFET

訂 貨 號:FDC6333C      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDC6333C MOSFET
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PowerTrench? 雙 N/P 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關,可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管,有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結構,可提供電荷平衡。 利用這一先進技術,這些設備的 FOM(品質因素)顯著低于前一代的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

半導體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N,P
最大連續(xù)漏極電流 2 A,2.5 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 150 mΩ, 220 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 960 mW
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -25 V、-16 V、+16 V、+25 V
寬度 1.7mm
每片芯片元件數(shù)目 2
典型柵極電荷@Vgs 4.1 nC @ 10 V,4.7 nC @ 10 V
長度 3mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
暫無

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