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IXYS IXFN64N50P MOSFET

訂貨號：IXFN64N50P 品牌：艾賽思_IXYS

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	61 A
最大漏源電壓	500 V
封裝類型	SOT-227B
安裝類型	螺絲安裝
引腳數(shù)目	4
最大漏源電阻值	85 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	5.5V
最大功率耗散	700000 mW
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目	1
長度	38.23mm
最高工作溫度	+150 °C
典型柵極電荷@Vgs	150 nC @ 10 V
寬度	25.42mm
晶體管材料	Si

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