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Infineon IRF5801TRPBF MOSFET

訂 貨 號:IRF5801TRPBF      品牌:國際整流器_IR

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Infineon IRF5801TRPBF MOSFET
產品詳細信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設備,外形可應對幾乎任何板布局和熱設計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 600 mA
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 TSOP
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 6
最大漏源電阻值 2.2 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5.5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 2 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數目 1
寬度 1.5mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V
長度 3mm
暫無

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