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產(chǎn)品分類(lèi)

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Infineon IRFB4019PBF MOSFET

訂 貨 號(hào):IRFB4019PBF      品牌:國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IRFB4019PBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

數(shù)字音頻 MOSFET,Infineon

D 類(lèi)放大器正快速成為專(zhuān)業(yè)和家庭音頻和視頻系統(tǒng)的首選解決方案。 Infineon 提供全面的系列,可簡(jiǎn)化高效 D 級(jí)放大器設(shè)計(jì)。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 17 A
最大漏源電壓 150 V
封裝類(lèi)型 TO-220AB
安裝類(lèi)型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 95 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.9V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 80000 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長(zhǎng)度 10.66mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
寬度 4.82mm
典型柵極電荷@Vgs 13 nC @ 10 V
暫無(wú)

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