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產(chǎn)品分類
分類：
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Infineon IRF7104PBF MOSFET

訂 貨 號：IRF7104PBF      品牌：國際整流器_IR

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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Infineon IRF7104PBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

雙 P 通道功率 MOSFET，Infineon

Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個(gè) HEXFET? 設(shè)備，以便在板空間要求嚴(yán)格的高元件密度設(shè)計(jì)中提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠節(jié)省空間的切換解決方案。 提供各種封裝選項(xiàng)，設(shè)計(jì)人員可以選擇雙 P 通道配置。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 2.3 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 400 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2 W
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 4mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 9.3 nC @ 10 V
長度 5mm
暫無

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