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Vishay SI3477DV-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SI3477DV-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數量：10             品牌屬性：進口

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Vishay SI3477DV-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

P 通道 MOSFET，TrenchFET Gen III，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 8 A
最大漏源電壓 12 V
封裝類型 TSOP
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 6
最大漏源電阻值 33 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 4.2 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -10 V、+10 V
每片芯片元件數目 1
寬度 1.7mm
長度 3.1mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 58 nC @ 10 V
暫無

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