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STMicroelectronics STB10N60M2 MOSFET

訂 貨 號:STB10N60M2      品牌:Tronics

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STMicroelectronics STB10N60M2 MOSFET
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N 通道 MDmesh? M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高電壓功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列憑借其低柵極電荷和出色的輸出電容特性,非常適合用于諧振型開關電源(LLC 轉換器)。

MOSFET 晶體管,STMicroelectronics


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 7.5 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 600 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4.5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 85 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -25 V、+25 V
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數目 1
寬度 9.35mm
長度 10.4mm
暫無

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