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產(chǎn)品分類
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Infineon IPD50N04S408ATMA1 MOSFET

訂 貨 號：IPD50N04S408ATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

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Infineon IPD50N04S408ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管，可減少 CO2 并采用電力驅(qū)動。 新的 OptiMOS? -T2 產(chǎn)品系列擴(kuò)展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增強(qiáng)模式
AEC 合格
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 50 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 7.9 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 46 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 17.2 nC @ 10 V
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
長度 6.5mm
暫無

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