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onsemi FDD18N20LZ MOSFET

訂 貨 號:FDD18N20LZ      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDD18N20LZ MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

UniFET? N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻,還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強度。 此外,內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應力。
UniFET? MOSFET 適用于開關電源轉(zhuǎn)換器應用,如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX(先進技術擴展)和電子燈鎮(zhèn)流器。

半導體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 16 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 130 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 89 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
晶體管材料 Si
長度 6.73mm
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 30 nC @ 10 V
暫無

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