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onsemi FDP12N50NZ MOSFET

訂 貨 號(hào):FDP12N50NZ      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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onsemi FDP12N50NZ MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

UniFET? N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻,還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強(qiáng)度。 此外,內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應(yīng)力。
UniFET? MOSFET 適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX(先進(jìn)技術(shù)擴(kuò)展)和電子燈鎮(zhèn)流器。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 11.5 A
最大漏源電壓 500 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 520 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 170 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -25 V、+25 V
寬度 4.9mm
長(zhǎng)度 10.36mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 23 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
暫無

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