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onsemi FQA19N60 MOSFET

訂 貨 號(hào):FQA19N60      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi FQA19N60 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

QFET? N 通道 MOSFET,11A 至 30A,F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數(shù)校正)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。
它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗,并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù),F(xiàn)airchild 可提供比競(jìng)爭(zhēng)平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 18.5A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-3PN
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 380 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 300 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長(zhǎng)度 15.8mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 70 nC @ 10 V
寬度 5mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
暫無

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