IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二極管 (HiPerFET?)
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 24 A |
| 最大漏源電壓 | 1100 V |
| 封裝類型 | SMPD |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 24 |
| 最大漏源電阻值 | 290 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 6.5V |
| 最大功率耗散 | 500 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -40 V、+40 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 310 nC @ 10 V |
| 寬度 | 23.25mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 25.25mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
