ON Semiconductor iii mosfet?高電壓超級?2 c 結(jié)點( sj ) mosfet 系列,利用電荷平衡技術(shù),可實現(xiàn)卓越的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。此先進(jìn) Advanced 技術(shù)可有效減少傳導(dǎo)損耗、提供卓越的切換性能和耐受極端 dv/dt 速率。
超低柵極電荷
低有效輸出電容 2495 pve.
通過 100% 雪崩測試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 75 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.0193. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |