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產(chǎn)品分類(lèi)

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onsemi NTJD4401NT1G MOSFET

訂 貨 號(hào):NTJD4401NT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NTJD4401NT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

這款 N 通道雙器件采用小型封裝( 2x2 mm )設(shè)計(jì)、采用 ON Semiconductor 領(lǐng)先的平面工藝、占地面積小、效率高。低功耗特別適用于單或雙節(jié)鋰離子電池供電的設(shè)備、例如手機(jī)、媒體播放器、數(shù)碼相機(jī)和 PDA 。

占地面積小( 2 x 2 毫米)
低柵極充電 N 通道設(shè)備
ESD 保護(hù)門(mén)
與 SC-70 相同的封裝( 6 導(dǎo)聯(lián))
應(yīng)用:
負(fù)載電源切換
鋰離子電池供電設(shè)備
直流 - 直流轉(zhuǎn)換


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 910 mA
最大漏源電壓 20 V
封裝類(lèi)型 SC-88
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 440 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.5V
最小柵閾值電壓 0.6V
最大功率耗散 550 mW
最大柵源電壓 ±12 V
每片芯片元件數(shù)目 2
典型柵極電荷@Vgs 1.3 nC @ 4.5 V
最高工作溫度 +150 °C
寬度 1.35mm
長(zhǎng)度 2.2mm
暫無(wú)

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