on ON Semiconductor 系列 n 溝道 150V mosfet 針對回飛轉換器的主開關進行了優化、憑借其優化的設計、可在不影響 emi 性能的情況下降低切換損耗和外殼溫度。特別定制以最大程度減少通態電阻、同時保持卓越的切換性能。
連續漏極電流額定值為 50A
漏極到電源接通電阻額定值為 15mohm
屏蔽柵極 mosfet 技術
低電容、可最大程度減少驅動器損耗
優化的柵極電荷可最大程度減少切換損耗
無鉛、無鹵素 /bfr 且符合 rohs 標準
封裝類型為 dak
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 50 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 15 MΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
