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產(chǎn)品分類

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Infineon BSG0811NDATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):BSG0811NDATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon BSG0811NDATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 5.0x6.0mm2 ? 5 電源塊是一種無引線 smd 封裝,采用 1 μ m 封裝輪廓,包括采用同步降壓轉(zhuǎn)換器配置的低側(cè)和高側(cè) mosfet 。通過使用最佳 mos ? 5 電源塊替換兩個(gè)獨(dú)立的離散封裝(例如 SO8 或 SuperSO8 ),客戶可以將其設(shè)計(jì)縮減高達(dá) 85% 。標(biāo)準(zhǔn)化電源封裝使客戶受益、因?yàn)槭袌?chǎng)上可用的不同封裝輪廓的數(shù)量已降至最低。

50A 最大平均負(fù)載電流
源低側(cè) mosfet 、可實(shí)現(xiàn)更好的印刷電路板冷卻
內(nèi)部連接低側(cè)和高側(cè)(最低回路電感)
高側(cè) kelvin 連接、可實(shí)現(xiàn)更高效的驅(qū)動(dòng)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 50 A
最大漏源電壓 25 V
封裝類型 電源塊 5x6
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.003. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
每片芯片元件數(shù)目 2
晶體管材料 Si
暫無

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