on ON Semiconductor 150V 功率 mosfet?139 a 的漏極電流、與單 n μ a 通道一起使用。它采用 Advanced power trench 工藝生產、該工藝采用屏蔽柵極技術。它具有行業最低的 qrr 和軟測試主體二極管、用于提供卓越的低噪聲切換。
vgs @ 10V 時最大 rds （接通） 5.0 m
比其他 MOSFET 供應商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
100% uil 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 139 a |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.005 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
