ON Semiconductor iii mosfet?高電壓超級?2 c 結點（ sj ） mosfet 系列，利用電荷平衡技術，可實現卓越的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。此先進 Advanced 技術可有效減少傳導損耗、提供卓越的切換性能和耐受極端 dv/dt 速率。
超低柵極電荷
低有效輸出電容 316 pve.
通過 100% 雪崩測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PQFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.19. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
