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onsemi NTR1P02LT1G MOSFET

訂 貨 號:NTR1P02LT1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NTR1P02LT1G MOSFET
產品詳細信息

這些微型表面安裝 MOSFET 低 RDS (on) 可確保最小的功率損耗和節能,使這些器件成為空間敏感電源管理電路的理想選擇。這些 P 通道小型信號 MOSFET 的典型應用包括直流 - 直流轉換器和便攜式和電池供電產品(例如計算機、打印機、 PCMCIA 卡、蜂窩和無繩電話)的電源管理。

低 RDS (on) 提供更高的效率并延長電池壽命
微型 SOT-23 表面安裝封裝節省了板級空間
最終產品
計算機
打印機
PCMCIA 卡
移動電話和無繩電話
應用
dcdc 轉換器
便攜式和電池供電產品中的電源管理


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 1.3 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 350 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.25V
最小柵閾值電壓 0.7V
最大功率耗散 400 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 +12 V
典型柵極電荷@Vgs 3.1 nC @ 4.5 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 3.04mm
每片芯片元件數目 1
寬度 1.4mm
暫無

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