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產(chǎn)品分類

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onsemi NVMYS1D3N04CTWG MOSFET

訂 貨 號:NVMYS1D3N04CTWG      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

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公司基本資料信息







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onsemi NVMYS1D3N04CTWG MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPK 封裝,設(shè)計(jì)緊湊高效,具有高熱性能。MOSFET 和 PPAP 適用于需要增強(qiáng)板級可靠性的汽車應(yīng)用。

體積小巧 (5 x 6 mm),可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動器損耗
LFPK4 封裝,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
支持 PPAP
這些設(shè)備無鉛


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 252A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 LFPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 1.15 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 134 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 75nc @ 10v
長度 5mm
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.25mm
暫無

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