日韩成人激情_欧美黑人xxx_国产一区二精品区在线_精品在线一区_97成人资源_久久久久久一区

產(chǎn)品分類

當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

onsemi FDG6322C MOSFET

訂 貨 號:FDG6322C      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

品牌商價:¥0.00

環(huán) 球 價: 登陸后可查看

-
+

公司基本資料信息







  • 關聯(lián)產(chǎn)品
  • 替代產(chǎn)品
  • 產(chǎn)品介紹
  • 產(chǎn)品屬性
  • 相關資料
  • 產(chǎn)品評價(0)
onsemi FDG6322C MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

增強模式雙 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增強模式場效應晶體管使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝設計用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。

半導體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N,P
最大連續(xù)漏極電流 220 mA,410 mA
最大漏源電壓 25 V
封裝類型 SOT-363 (SC-70)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 1.9 Ω、7 Ω
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 0.65V
最大功率耗散 300 mW
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
晶體管材料 Si
長度 2mm
典型柵極電荷@Vgs 0.29 nC @ 4.5 V,1.1 nC @ 5 V
寬度 1.25mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

正在載入評論詳細...
主站蜘蛛池模板: 羞羞的视频在线 | 久久9精品| 男人av的天堂 | 日韩欧美不卡 | 欧美日韩亚洲视频 | 玖玖视频免费 | 91精品久久久久久久 | 中文字幕一区二区三区四区五区 | 一区精品国产欧美在线 | 色888www视频在线观看 | 国产一区二区三区在线免费 | 色婷婷亚洲国产女人的天堂 | 国内久久 | 久久精品一 | 91久久精品一区二区二区 | 三级特黄特色视频 | 91视频18 | 欧美高清hd | 国产人久久人人人人爽 | 日本电影一区二区 | 国产精品一区二区在线免费观看 | 欧美成人精品二区三区99精品 | 久久精品国产一区 | 最新中文字幕在线 | 精品一区二区三区不卡 | 亚洲第一福利视频 | 久久久久久久一区二区三区 | 欧美精品一区二区三区四区五区 | 亚洲精品久久久久久久久久久 | 国产一二区免费视频 | 精品99在线 | 国产精品成人久久久久 | 亚洲视频一区二区 | 免费国产一区二区 | 日韩免费视频一区二区 | 午夜精品久久久久久久久久久久 | 人人鲁人人莫人人爱精品 | 黄色免费三级 | 龙珠z在线观看 | 最新日韩av| 精品国产乱码久久久久久丨区2区 |