此單 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench 工藝設計，可優化特殊 MicroFET 導線框架上的 RDS(ON)@VGS=2.5V 。
RDS (on) =30m Ω @VGS =4.5 V ，識別號 =5.7A
RDS (on) =40 M Ω @VGS =2.5 V ， ID =5.0A
薄型 - 最大 0.8 mm - 新封裝 MicroFET 2x2mm
HBM ESD 保護級別 2.5K V （典型）（注釋 3 ）
無鹵化合物和銻氧化物
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 封裝類型 | MicroFET 2 x 2 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 2.4 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 6 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
