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Fairchild Semiconductor FDFMA2P857 MOSFET

訂貨號：FDFMA2P857 品牌：IRC

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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P 通道 PowerTrench? MOSFET MOSFET，帶肖特基二極管，F(xiàn)airchild Semiconductor

設(shè)計用于手機(jī)及其他超便攜式應(yīng)用中的電池充電開關(guān)
獨(dú)立連接的低正向電壓肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)最小的傳導(dǎo)損耗

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	3 A
最大漏源電壓	20 V
封裝類型	MLP
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	240 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	1.3V
最小柵閾值電壓	0.4V
最大功率耗散	1.4 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-8 V、+8 V
寬度	2mm
每片芯片元件數(shù)目	1
最高工作溫度	+150 °C
長度	2mm
典型柵極電荷@Vgs	4 nC @ 10 V
晶體管材料	Si

暫無

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