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Infineon IRF7424TRPBF MOSFET

訂 貨 號:IRF7424TRPBF      品牌:國際整流器_IR

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

品牌商價:¥0.00

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Infineon IRF7424TRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

P 通道功率 MOSFET 30V,Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設(shè)備,外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內(nèi),基準導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

Infineon IRF7424 是 30V 單 P 溝道 HEXFET 功率 MOSFET ,采用 SO-8 封裝。SO-8 經(jīng)改良通過自定義引線框,可增強熱特性和多模功能,使其特別適用于各種電源應(yīng)用。

符合 RoHS
行業(yè)領(lǐng)先的質(zhì)量
工業(yè)標準引腳輸出
P 溝道 MOSFET

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 11 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 22 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
寬度 4mm
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 5mm
典型柵極電荷@Vgs 75 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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