功率 MOSFET 40V150A 2.1M Ω 單 N 通道
低 RDS（接通）
低輸入電容
盡量減少傳導損耗
最大限度地減少交換損失
應用
裝載點模塊
高性能 dcdc 轉換器
次要 SYN 。整流
直流電動機驅動
最終產品
網通、電信
服務器
手持設備電源工具
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 155 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 3.1 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 89 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 6.1mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 45 nC @ 10 V |
| 長度 | 5.1mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
