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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi NVMFD6H852NLWFT1G MOSFET

訂 貨 號：NVMFD6H852NLWFT1G      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi NVMFD6H852NLWFT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

體積小巧 (5 x 6 mm)，可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動器損耗
NVMFD6H852NLWF ? 可潤側(cè)翼選件，用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
支持 PPAP
這些設(shè)備無鉛


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 25 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 31.5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 3.2 W
晶體管配置 雙路
最大柵源電壓 ±20 V
長度 6.1mm
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
寬度 5.1mm
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

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