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onsemi NVHL080N120SC1 MOSFET

訂 貨 號(hào):NVHL080N120SC1      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi NVHL080N120SC1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

碳化硅 (SIC) MOSFET 采用全新的技術(shù),與硅相比,它具有卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此,系統(tǒng)的優(yōu)勢包括最高效率、 Faster operation frequency 、增加功率密度、降低 EMI 和減小系統(tǒng)大小。

1200V 等級(jí)
最大 RDS (接通) = 110mΩ Ω ( Vgs = 20V 時(shí))、 ID = 20A
高速開關(guān)和低電容
器件不含鉛
應(yīng)用
PFC
OBC
最終產(chǎn)品
用于 EV/PHEV 的汽車直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
汽車車載充電器
汽車輔助電機(jī)驅(qū)動(dòng)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 44 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 162 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.3V
最小柵閾值電壓 1.8V
最大功率耗散 348 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -15 V 、 +25 V
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 SiC
長度 15.87mm
寬度 4.82mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 56 常閉 @ 20 V
暫無

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