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訂 貨 號(hào):FDP4D5N10C 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
這款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先進(jìn) PowerTrench? 工藝生產(chǎn),該工藝內(nèi)置了屏蔽柵極技術(shù)。此過(guò)程已經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可最大程度降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)使用同類(lèi)最佳的軟主體二極管保持優(yōu)異的切換性能。
最大 RDS (開(kāi)) = 4.5 mΩ 、 VGS = 10 V 、 ID = 128 A
功率密度和屏蔽式澆口功率密度和屏蔽式澆口高效率 / 高性能
適用于極低 RDS(接通)的高性能通道技術(shù)
高功率密度,帶屏蔽柵極技術(shù)
反向恢復(fù)電荷 Qrr 極低
低 Vds 尖峰內(nèi)部阻尼函數(shù)。
低柵極電荷、 QG = 48nC (典型)
低切換損耗
出色的電源和電流處理能力
低 Qrr/Trr
軟恢復(fù)性能
適用于 ATX/服務(wù)器/工作站/電信 PSU/適配器和工業(yè)電源的同步整流。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源
微型太陽(yáng)能變頻器
服務(wù)器
電信
計(jì)算(ATX、工作臺(tái)、適配器、工業(yè)電源等)
電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
不間斷電源
光伏逆變器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 128 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類(lèi)型 | TO-220 |
安裝類(lèi)型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 4.5mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 150 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
長(zhǎng)度 | 10.36mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 48 nC @ 10 V |
寬度 | 4.67mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |