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onsemi NTHL099N60S5 MOSFET

訂 貨 號:NTHL099N60S5      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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onsemi NTHL099N60S5 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

ON Semiconductor 系列 SUPERFET V MOSFET 是 ON Semiconductor 的第五代高電壓超?Ω 接點 (SJ) MOSFET 系列。SUPERFET V 可提供?Ω?類 FOM (RDS (接通)·QG 和 RDS (接通)·EOSS) 中最佳的 Ω ,不僅可提高大負(fù)載,還可提高輕負(fù)載效率。600 V SUPERET V 系列通過減少傳導(dǎo)和切換損耗提供設(shè)計優(yōu)勢,同時支持 120 V/ns 的極端 MOSFET DVD/dt 額定值和 50 V/ns 的高主體二極管 DVD/dt 額定值。因此, SUPERFET V MOSFET Easy Drive 系列結(jié)合了出色的切換性能,同時不影響硬切換和軟切換拓?fù)涞囊子眯浴K兄诠芾?EMI 問題,并通過出色的系統(tǒng)效率簡化設(shè)計實施。

超低柵極電荷 (典型值 QG= 48 nC)
低切換損耗
與時間相關(guān)的低輸出電容 (典型值 Coss (tr) = 642 pF)
低切換損耗
優(yōu)化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
650 V @ TJ = 150°C
典型值 RDS (接通) = 79.2 m Ω
經(jīng)過 100% 雪崩測試
符合 RoHS
內(nèi)部柵極電阻: 6.9 Ω


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 33 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.099 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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