ON Semiconductor MOSFET - N 通道屏蔽柵極功率溝道 MOSFET ,具有 150 V 的漏極至源電壓
優(yōu)化的切換性能
VGS = mΩ V , ID = 75.4 A 時,最大 RDS (接通) = 10.9 m Ω
業(yè)內最低的 Qrr 和最柔軟的主體二極管,可實現(xiàn)卓越的低噪聲切換
Qrr 比其他 MOSFET 供應商低 50%
高效率,具有更低的切換峰值和 EMI
降低切換噪聲/EMI
改進的切換 FOM ,尤其是 Qgd
經(jīng)過 100% UIL 測試
無需或更少的減震器
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 75.4 A |
最大漏源電壓 | 150 V |
封裝類型 | D2PAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.0109. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |