Infineon FF6MR12W2M1B70BPSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
Infineon FF6MR12W2M1 是 6 mΩ 半橋模塊,帶 CoolSiC MOSFET。此模塊具有高度的自由度,適用于變頻器設(shè)計人員。此模塊具有更好的 DCB 材料導(dǎo)熱性。
低切換損耗
低電感設(shè)計
高電流密度
屬性 |
數(shù)值 |
通道類型 |
N |
最大連續(xù)漏極電流 |
200 A |
最大漏源電壓 |
1200 V |
封裝類型 |
AG-EASY2B. |
安裝類型 |
表面貼裝 |
最大柵閾值電壓 |
5.55V |