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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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Infineon IRF200B211 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRF200B211      品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IRF200B211 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

StrongIRFET? 功率 MOSFET，Infineon

Infineon 的 StrongIRFE 系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，RDS（接通）低且載流能力高。 此組合提供更高的柵極、雪崩和動(dòng)態(tài) dv/dt 耐受性，特別適用于性能和強(qiáng)健性非常重要的工業(yè)低頻應(yīng)用，包括電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具、逆變器和電池管理。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 12 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類(lèi)型 TO-220AB
安裝類(lèi)型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 170 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.9V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 80 W
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 15.3 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 10.67mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.83mm
暫無(wú)

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