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onsemi NVMFD5C668NLT1G MOSFET

訂 貨 號:NVMFD5C668NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NVMFD5C668NLT1G MOSFET
產品詳細信息

體積小巧 (5 x 6 mm),可實現緊湊設計
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
NVMFD5C668NLWF ? 可潤側翼選件,用于增強型光學檢驗
支持 PPAP
這些設備無鉛


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 68 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 6.5 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 57.5 W
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數目 2
寬度 6.1mm
最高工作溫度 +175 °C
長度 5.1mm
典型柵極電荷@Vgs 9.8 nC @ 4.5 V
暫無

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