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onsemi NCP81080DR2G MOSFET

訂 貨 號:NCP81080DR2G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NCP81080DR2G MOSFET
產品詳細信息

NCP81080 是高性能雙 MOSFET(高側和低側)柵極驅動器 IC,設計用于驅動以高達 180 V 運行的 MOSFET。NCP81080 集成了驅動器 IC 和限幅二極管,提供 0.5 A 源電流/0.8 A 匯電流驅動容量。集成了防跨導電路,可防止直通問題。高側和低側驅動器可獨立控制。

驅動高側和低側的兩個 N 通道 MOSFET
集成限幅二極管,用于高側柵極驅動
引導程序電源電壓范圍高達 180 V
0.5 A 源電流、0.8 A 匯電流輸出容量
以 19 ns/17 ns 的典型上升/下降時間驅動 1nF 負載
寬電源電壓范圍:5.5 V 至 20 V
2 ns 延時匹配(典型值)
用于驅動電壓的欠電壓鎖定 (UVLO) 保護
工作接點溫度范圍:-40°C 至 140°C


屬性 數值
通道類型 N
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大柵閾值電壓 5.4V
最小柵閾值電壓 3.4V
長度 5mm
寬度 4mm
最高工作溫度 +170 °C
每片芯片元件數目 2
暫無

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