ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 電源溝道工藝生產(chǎn),該工藝包含屏蔽柵極技術(shù)。此過程經(jīng)優(yōu)化可耐受有效減少通態(tài)電阻,但仍保持卓越的切換性能。
有效減少傳導(dǎo)損耗
高 Peak 電流和低寄生電感
為具有熱挑戰(zhàn)的應(yīng)用提供更寬的設(shè)計余量
減少切換峰值
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 175 A |
最大漏源電壓 | 150 V |
封裝類型 | DFNW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.005% Ω |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |