Infineon 700V coolmos ? P7 超結(jié) mosfet 系列與當今使用的超級結(jié)點技術(shù)相比,具有基本的性能提升,可滿足低功率 smp 市場的需求,例如手機充電器或筆記本電腦適配器。通過將客戶的反饋與 20 多年的超結(jié) mosfet 經(jīng)驗相結(jié)合, 700V coolmos ? P7 能夠在效率和散熱性方面最適合目標應(yīng)用,易于使用的 emi 行為。
極低的 fom r ds ( on ) x e oss
降低 q g 、 e 和 e
高性能技術(shù)
低切換損耗( e oss )
高效
極佳的熱行為
允許高速切換
集成保護齊納二極管
優(yōu)化的 3V v ( gs ) th 具有非常窄的容差 ±0.5 v
精細分級產(chǎn)品組合
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 8.5 A |
最大漏源電壓 | 700 V |
封裝類型 | T-220 fullpak 窄引線 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 600 個月 |
最大柵閾值電壓 | 3.5V |