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onsemi NTMYS011N04CTWG MOSFET

訂 貨 號：NTMYS011N04CTWG      品牌：安森美_Onsemi

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onsemi NTMYS011N04CTWG MOSFET
產品詳細信息

工業(yè)功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝，設計用于緊湊型高效設計，包括高熱性能。

體積小巧 (5 x 6 mm)，可實現緊湊設計
低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
LFPAK4 封裝、工業(yè)標準
這些設備無鉛


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 35 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 LFPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 4
最大漏源電阻值 12 MΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 28 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數目 1
長度 5mm
寬度 4.25mm
典型柵極電荷@Vgs 7.9 nC @ 10 V
暫無

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