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產(chǎn)品分類

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onsemi NTBS2D7N06M7 MOSFET

訂 貨 號(hào):NTBS2D7N06M7      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NTBS2D7N06M7 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

典型 RDS (on) = 2.2M , VGS = 10V , ID = 80A
典型 QG (TOT) = VGS 處的 80NC =10V , ID =80A
UIS 能力
這些設(shè)備無(wú)鉛
應(yīng)用
工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
工業(yè)電源
工業(yè)自動(dòng)化
電瓶操作工具
電池保護(hù)
太陽(yáng)能逆變器
UPS 和能源反相器
能量存儲(chǔ)
負(fù)載開關(guān)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 110 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 D2PAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 176 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 9.65mm
長(zhǎng)度 10.67mm
典型柵極電荷@Vgs 80 nC @ 10 V
最高工作溫度 +175 °C
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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